તરંગલંબાઇ શ્રેણી | : | 190-1100nm |
સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ | : | 2nm (5nm, 4nm, 1nm, 0,5nm વૈકલ્પિક) |
તરંગલંબાઇ ચોકસાઈ | : | ±0.3nm |
તરંગલંબાઇ પુનઃઉત્પાદનક્ષમતા | : | ≤0.15nm |
ફોટોમેટ્રિક સિસ્ટમ | : | ડબલ બીમ, ઓટો સ્કેન, ડ્યુઅલ ડિટેક્ટર |
ફોટોમેટ્રિક ચોકસાઈ | : | ±0.3τ (0~100τ) ± 0.002A (0~0.5A) ±0.004A (0.5~1A) |
ફોટોમેટ્રિક પ્રજનનક્ષમતા | : | ≤0.15%τ |
વર્કિંગ મોડ | : | ટી, એ, સી, ઇ |
ફોટોમેટ્રિક શ્રેણી | : | -0.3-3.5A |
સ્ટ્રે લાઇટ | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) |
બેઝલાઇન ફ્લેટનેસ | : | ±0.002A |
સ્થિરતા | : | ≤0.001A/h (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
ઘોંઘાટ | : | ±0.001A (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
ડિસ્પ્લે | : | 6 ઇંચ હાઇ આછો વાદળી એલસીડી |
ડિટેક્ટર | : | સિલિકોન ફોટો ડાયોડ |
શક્તિ | : | AC 220V/50Hz, 110V/60Hz 180W |
પરિમાણો | : | 630×470×210mm |
વજન | : | 26 કિગ્રા |
તરંગલંબાઇ શ્રેણી | : | 190-1100nm |
સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ | : | 2nm (5nm, 4nm, 1nm, 0,5nm વૈકલ્પિક) |
તરંગલંબાઇ ચોકસાઈ | : | ±0.3nm |
તરંગલંબાઇ પુનઃઉત્પાદનક્ષમતા | : | 0.15nm |
ફોટોમેટ્રિક સિસ્ટમ | : | સ્પ્લિટ-બીમ રેશિયો મોનિટરિંગ, ઓટો સ્કેન, ડ્યુઅલ ડિટેક્ટર |
ફોટોમેટ્રિક ચોકસાઈ | : | ±0.3τ (0~100τ) ± 0.002A (0~0.5A) ±0.004A (0.5~1A) |
ફોટોમેટ્રિક પ્રજનનક્ષમતા | : | 0.2%τ |
વર્કિંગ મોડ | : | ટી, એ, સી, ઇ |
ફોટોમેટ્રિક શ્રેણી | : | -0.3-3A |
સ્ટ્રે લાઇટ | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) |
બેઝલાઇન ફ્લેટનેસ | : | ±0.002A |
સ્થિરતા | : | ≤0.001A/30મિનિટ (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
ઘોંઘાટ | : | ±0.001A (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
ડિસ્પ્લે | : | 6 ઇંચ હાઇ આછો વાદળી એલસીડી |
ડિટેક્ટર | : | સિલિકોન ફોટો ડાયોડ |
શક્તિ | : | AC 220V/50Hz, 110V/60Hz 180W |
પરિમાણો | : | 630×470×210mm |
વજન | : | 26 કિગ્રા |
તરંગલંબાઇ શ્રેણી | : | 190-1100nm |
સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ | : | 2nm (5nm, 1nm, વૈકલ્પિક) |
તરંગલંબાઇ ચોકસાઈ | : | ±0.3nm |
તરંગલંબાઇ પુનઃઉત્પાદનક્ષમતા | : | 0.2nm |
ફોટોમેટ્રિક સિસ્ટમ | : | સિંગલ બીમ, પ્લેન ગ્રેટિંગ 1200L/mm |
ફોટોમેટ્રિક ચોકસાઈ | : | ±0.3τ (0~100τ) ± 0.002A (0~0.5A) ±0.004A (0.5~1A) |
ફોટોમેટ્રિક પ્રજનનક્ષમતા | : | ≤0.15%τ |
વર્કિંગ મોડ | : | T, A(-0.3-3A), C, E |
ફોટોમેટ્રિક શ્રેણી | : | -0.3-3A |
સ્ટ્રે લાઇટ | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) |
બેઝલાઇન ફ્લેટનેસ | : | ±0.002A |
સ્થિરતા | : | ≤0.001A/30મિનિટ (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
ઘોંઘાટ | : | ±0.001A (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
ડિસ્પ્લે | : | 6 ઇંચ હાઇ આછો વાદળી એલસીડી |
ડિટેક્ટર | : | સિલિકોન ફોટો ડાયોડ |
શક્તિ | : | AC 220V/50Hz, 110V/60Hz 140W |
પરિમાણો | : | 530×410×210mm |
વજન | : | 18 કિગ્રા |
તરંગલંબાઇ શ્રેણી | : | 320-1100nm |
સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ | : | 2nm (5nm, 1nm, વૈકલ્પિક) |
તરંગલંબાઇ ચોકસાઈ | : | ±0.5nm |
તરંગલંબાઇ પુનઃઉત્પાદનક્ષમતા | : | 0.2nm |
ફોટોમેટ્રિક સિસ્ટમ | : | સિંગલ બીમ, પ્લેન ગ્રેટિંગ 1200L/mm |
ફોટોમેટ્રિક ચોકસાઈ | : | ±0.3τ (0~100τ) ± 0.002A (0~0.5A) ±0.004A (0.5~1A) |
ફોટોમેટ્રિક પ્રજનનક્ષમતા | : | ≤0.15%τ |
વર્કિંગ મોડ | : | ટી, એ, સી, ઇ |
ફોટોમેટ્રિક શ્રેણી | : | -0.3-3A |
સ્ટ્રે લાઇટ | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) |
બેઝલાઇન ફ્લેટનેસ | : | ±0.002A |
સ્થિરતા | : | ≤0.001A/30મિનિટ (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
પ્રકાશનો સ્ત્રોત | : | ટંગસ્ટન હેલોજન લેમ્પ |
ડિસ્પ્લે | : | 6 ઇંચ હાઇ આછો વાદળી એલસીડી |
ડિટેક્ટર | : | સિલિકોન ફોટો ડાયોડ |
શક્તિ | : | AC 220V/50Hz, 110V/60Hz 140W |
પરિમાણો | : | 530×410×210mm |
વજન | : | 18 કિગ્રા |