| તરંગલંબાઇ શ્રેણી | : | 190-1100nm | 
| સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ | : | 2nm (5nm, 4nm, 1nm, 0,5nm વૈકલ્પિક) | 
| તરંગલંબાઇ ચોકસાઈ | : | ±0.3nm | 
| તરંગલંબાઇ પુનઃઉત્પાદનક્ષમતા | : | ≤0.15nm | 
| ફોટોમેટ્રિક સિસ્ટમ | : | ડબલ બીમ, ઓટો સ્કેન, ડ્યુઅલ ડિટેક્ટર | 
| ફોટોમેટ્રિક ચોકસાઈ | : | ±0.3τ (0~100τ) ± 0.002A (0~0.5A) ±0.004A (0.5~1A) | 
| ફોટોમેટ્રિક પ્રજનનક્ષમતા | : | ≤0.15%τ | 
| વર્કિંગ મોડ | : | ટી, એ, સી, ઇ | 
| ફોટોમેટ્રિક શ્રેણી | : | -0.3-3.5A | 
| સ્ટ્રે લાઇટ | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) | 
| બેઝલાઇન ફ્લેટનેસ | : | ±0.002A | 
| સ્થિરતા | : | ≤0.001A/h (500nm પર, ગરમ થયા પછી) | 
| ઘોંઘાટ | : | ±0.001A (500nm પર, ગરમ થયા પછી) | 
| ડિસ્પ્લે | : | 6 ઇંચ હાઇ આછો વાદળી એલસીડી | 
| ડિટેક્ટર | : | સિલિકોન ફોટો ડાયોડ | 
| શક્તિ | : | AC 220V/50Hz, 110V/60Hz 180W | 
| પરિમાણો | : | 630×470×210mm | 
| વજન | : | 26 કિગ્રા | 
| તરંગલંબાઇ શ્રેણી | : | 190-1100nm | 
| સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ | : | 2nm (5nm, 4nm, 1nm, 0,5nm વૈકલ્પિક) | 
| તરંગલંબાઇ ચોકસાઈ | : | ±0.3nm | 
| તરંગલંબાઇ પુનઃઉત્પાદનક્ષમતા | : | 0.15nm | 
| ફોટોમેટ્રિક સિસ્ટમ | : | સ્પ્લિટ-બીમ રેશિયો મોનિટરિંગ, ઓટો સ્કેન, ડ્યુઅલ ડિટેક્ટર | 
| ફોટોમેટ્રિક ચોકસાઈ | : | ±0.3τ (0~100τ) ± 0.002A (0~0.5A) ±0.004A (0.5~1A) | 
| ફોટોમેટ્રિક પ્રજનનક્ષમતા | : | 0.2%τ | 
| વર્કિંગ મોડ | : | ટી, એ, સી, ઇ | 
| ફોટોમેટ્રિક શ્રેણી | : | -0.3-3A | 
| સ્ટ્રે લાઇટ | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) | 
| બેઝલાઇન ફ્લેટનેસ | : | ±0.002A | 
| સ્થિરતા | : | ≤0.001A/30મિનિટ (500nm પર, ગરમ થયા પછી) | 
| ઘોંઘાટ | : | ±0.001A (500nm પર, ગરમ થયા પછી) | 
| ડિસ્પ્લે | : | 6 ઇંચ હાઇ આછો વાદળી એલસીડી | 
| ડિટેક્ટર | : | સિલિકોન ફોટો ડાયોડ | 
| શક્તિ | : | AC 220V/50Hz, 110V/60Hz 180W | 
| પરિમાણો | : | 630×470×210mm | 
| વજન | : | 26 કિગ્રા | 
| તરંગલંબાઇ શ્રેણી | : | 190-1100nm | 
| સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ | : | 2nm (5nm, 1nm, વૈકલ્પિક) | 
| તરંગલંબાઇ ચોકસાઈ | : | ±0.3nm | 
| તરંગલંબાઇ પુનઃઉત્પાદનક્ષમતા | : | 0.2nm | 
| ફોટોમેટ્રિક સિસ્ટમ | : | સિંગલ બીમ, પ્લેન ગ્રેટિંગ 1200L/mm | 
| ફોટોમેટ્રિક ચોકસાઈ | : | ±0.3τ (0~100τ) ± 0.002A (0~0.5A) ±0.004A (0.5~1A) | 
| ફોટોમેટ્રિક પ્રજનનક્ષમતા | : | ≤0.15%τ | 
| વર્કિંગ મોડ | : | T, A(-0.3-3A), C, E | 
| ફોટોમેટ્રિક શ્રેણી | : | -0.3-3A | 
| સ્ટ્રે લાઇટ | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) | 
| બેઝલાઇન ફ્લેટનેસ | : | ±0.002A | 
| સ્થિરતા | : | ≤0.001A/30મિનિટ (500nm પર, ગરમ થયા પછી) | 
| ઘોંઘાટ | : | ±0.001A (500nm પર, ગરમ થયા પછી) | 
| ડિસ્પ્લે | : | 6 ઇંચ હાઇ આછો વાદળી એલસીડી | 
| ડિટેક્ટર | : | સિલિકોન ફોટો ડાયોડ | 
| શક્તિ | : | AC 220V/50Hz, 110V/60Hz 140W | 
| પરિમાણો | : | 530×410×210mm | 
| વજન | : | 18 કિગ્રા | 
| તરંગલંબાઇ શ્રેણી | : | 320-1100nm | 
| સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ | : | 2nm (5nm, 1nm, વૈકલ્પિક) | 
| તરંગલંબાઇ ચોકસાઈ | : | ±0.5nm | 
| તરંગલંબાઇ પુનઃઉત્પાદનક્ષમતા | : | 0.2nm | 
| ફોટોમેટ્રિક સિસ્ટમ | : | સિંગલ બીમ, પ્લેન ગ્રેટિંગ 1200L/mm | 
| ફોટોમેટ્રિક ચોકસાઈ | : | ±0.3τ (0~100τ) ± 0.002A (0~0.5A) ±0.004A (0.5~1A) | 
| ફોટોમેટ્રિક પ્રજનનક્ષમતા | : | ≤0.15%τ | 
| વર્કિંગ મોડ | : | ટી, એ, સી, ઇ | 
| ફોટોમેટ્રિક શ્રેણી | : | -0.3-3A | 
| સ્ટ્રે લાઇટ | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) | 
| બેઝલાઇન ફ્લેટનેસ | : | ±0.002A | 
| સ્થિરતા | : | ≤0.001A/30મિનિટ (500nm પર, ગરમ થયા પછી) | 
| પ્રકાશનો સ્ત્રોત | : | ટંગસ્ટન હેલોજન લેમ્પ | 
| ડિસ્પ્લે | : | 6 ઇંચ હાઇ આછો વાદળી એલસીડી | 
| ડિટેક્ટર | : | સિલિકોન ફોટો ડાયોડ | 
| શક્તિ | : | AC 220V/50Hz, 110V/60Hz 140W | 
| પરિમાણો | : | 530×410×210mm | 
| વજન | : | 18 કિગ્રા |