| તરંગલંબાઇ શ્રેણી | : | 190-1100nm |
| સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ | : | 2nm (5nm, 4nm, 1nm, 0,5nm વૈકલ્પિક) |
| તરંગલંબાઇ ચોકસાઈ | : | ±0.3nm |
| તરંગલંબાઇ પુનઃઉત્પાદનક્ષમતા | : | ≤0.15nm |
| ફોટોમેટ્રિક સિસ્ટમ | : | ડબલ બીમ, ઓટો સ્કેન, ડ્યુઅલ ડિટેક્ટર |
| ફોટોમેટ્રિક ચોકસાઈ | : | ±0.3τ (0~100τ) ± 0.002A (0~0.5A) ±0.004A (0.5~1A) |
| ફોટોમેટ્રિક પ્રજનનક્ષમતા | : | ≤0.15%τ |
| વર્કિંગ મોડ | : | ટી, એ, સી, ઇ |
| ફોટોમેટ્રિક શ્રેણી | : | -0.3-3.5A |
| સ્ટ્રે લાઇટ | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) |
| બેઝલાઇન ફ્લેટનેસ | : | ±0.002A |
| સ્થિરતા | : | ≤0.001A/h (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
| ઘોંઘાટ | : | ±0.001A (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
| ડિસ્પ્લે | : | 6 ઇંચ હાઇ આછો વાદળી એલસીડી |
| ડિટેક્ટર | : | સિલિકોન ફોટો ડાયોડ |
| શક્તિ | : | AC 220V/50Hz, 110V/60Hz 180W |
| પરિમાણો | : | 630×470×210mm |
| વજન | : | 26 કિગ્રા |
| તરંગલંબાઇ શ્રેણી | : | 190-1100nm |
| સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ | : | 2nm (5nm, 4nm, 1nm, 0,5nm વૈકલ્પિક) |
| તરંગલંબાઇ ચોકસાઈ | : | ±0.3nm |
| તરંગલંબાઇ પુનઃઉત્પાદનક્ષમતા | : | 0.15nm |
| ફોટોમેટ્રિક સિસ્ટમ | : | સ્પ્લિટ-બીમ રેશિયો મોનિટરિંગ, ઓટો સ્કેન, ડ્યુઅલ ડિટેક્ટર |
| ફોટોમેટ્રિક ચોકસાઈ | : | ±0.3τ (0~100τ) ± 0.002A (0~0.5A) ±0.004A (0.5~1A) |
| ફોટોમેટ્રિક પ્રજનનક્ષમતા | : | 0.2%τ |
| વર્કિંગ મોડ | : | ટી, એ, સી, ઇ |
| ફોટોમેટ્રિક શ્રેણી | : | -0.3-3A |
| સ્ટ્રે લાઇટ | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) |
| બેઝલાઇન ફ્લેટનેસ | : | ±0.002A |
| સ્થિરતા | : | ≤0.001A/30મિનિટ (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
| ઘોંઘાટ | : | ±0.001A (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
| ડિસ્પ્લે | : | 6 ઇંચ હાઇ આછો વાદળી એલસીડી |
| ડિટેક્ટર | : | સિલિકોન ફોટો ડાયોડ |
| શક્તિ | : | AC 220V/50Hz, 110V/60Hz 180W |
| પરિમાણો | : | 630×470×210mm |
| વજન | : | 26 કિગ્રા |
| તરંગલંબાઇ શ્રેણી | : | 190-1100nm |
| સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ | : | 2nm (5nm, 1nm, વૈકલ્પિક) |
| તરંગલંબાઇ ચોકસાઈ | : | ±0.3nm |
| તરંગલંબાઇ પુનઃઉત્પાદનક્ષમતા | : | 0.2nm |
| ફોટોમેટ્રિક સિસ્ટમ | : | સિંગલ બીમ, પ્લેન ગ્રેટિંગ 1200L/mm |
| ફોટોમેટ્રિક ચોકસાઈ | : | ±0.3τ (0~100τ) ± 0.002A (0~0.5A) ±0.004A (0.5~1A) |
| ફોટોમેટ્રિક પ્રજનનક્ષમતા | : | ≤0.15%τ |
| વર્કિંગ મોડ | : | T, A(-0.3-3A), C, E |
| ફોટોમેટ્રિક શ્રેણી | : | -0.3-3A |
| સ્ટ્રે લાઇટ | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) |
| બેઝલાઇન ફ્લેટનેસ | : | ±0.002A |
| સ્થિરતા | : | ≤0.001A/30મિનિટ (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
| ઘોંઘાટ | : | ±0.001A (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
| ડિસ્પ્લે | : | 6 ઇંચ હાઇ આછો વાદળી એલસીડી |
| ડિટેક્ટર | : | સિલિકોન ફોટો ડાયોડ |
| શક્તિ | : | AC 220V/50Hz, 110V/60Hz 140W |
| પરિમાણો | : | 530×410×210mm |
| વજન | : | 18 કિગ્રા |
| તરંગલંબાઇ શ્રેણી | : | 320-1100nm |
| સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ | : | 2nm (5nm, 1nm, વૈકલ્પિક) |
| તરંગલંબાઇ ચોકસાઈ | : | ±0.5nm |
| તરંગલંબાઇ પુનઃઉત્પાદનક્ષમતા | : | 0.2nm |
| ફોટોમેટ્રિક સિસ્ટમ | : | સિંગલ બીમ, પ્લેન ગ્રેટિંગ 1200L/mm |
| ફોટોમેટ્રિક ચોકસાઈ | : | ±0.3τ (0~100τ) ± 0.002A (0~0.5A) ±0.004A (0.5~1A) |
| ફોટોમેટ્રિક પ્રજનનક્ષમતા | : | ≤0.15%τ |
| વર્કિંગ મોડ | : | ટી, એ, સી, ઇ |
| ફોટોમેટ્રિક શ્રેણી | : | -0.3-3A |
| સ્ટ્રે લાઇટ | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) |
| બેઝલાઇન ફ્લેટનેસ | : | ±0.002A |
| સ્થિરતા | : | ≤0.001A/30મિનિટ (500nm પર, ગરમ થયા પછી) |
| પ્રકાશનો સ્ત્રોત | : | ટંગસ્ટન હેલોજન લેમ્પ |
| ડિસ્પ્લે | : | 6 ઇંચ હાઇ આછો વાદળી એલસીડી |
| ડિટેક્ટર | : | સિલિકોન ફોટો ડાયોડ |
| શક્તિ | : | AC 220V/50Hz, 110V/60Hz 140W |
| પરિમાણો | : | 530×410×210mm |
| વજન | : | 18 કિગ્રા |