◆ વિશાળ તરંગલંબાઇ શ્રેણી, વિવિધ ક્ષેત્રોની જરૂરિયાતોને સંતોષે છે.
◆ સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ પસંદગી માટે ચાર વિકલ્પો, 5nm, 4nm, 2nm અને 1nm, ગ્રાહકની જરૂરિયાત અનુસાર બનાવવામાં આવ્યા છે અને ફાર્માકોપીયાની જરૂરિયાતોને સંતોષે છે.
◆ સંપૂર્ણપણે સ્વયંસંચાલિત ડિઝાઇન, સરળ માપન સાકાર કરે છે.
◆ વિશ્વ વિખ્યાત ઉત્પાદક પાસેથી ઑપ્ટિમાઇઝ્ડ ઓપ્ટિક્સ અને મોટા પાયે ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ ડિઝાઇન, પ્રકાશ સ્રોત અને રીસીવર - આ બધું ઉચ્ચ પ્રદર્શન અને વિશ્વસનીયતામાં વધારો કરે છે.
◆ સમૃદ્ધ માપન પદ્ધતિઓ, તરંગલંબાઇ સ્કેન, સમય સ્કેન, બહુ-તરંગલંબાઇ નિર્ધારણ, બહુ-ક્રમ વ્યુત્પન્ન નિર્ધારણ, ડબલ-તરંગલંબાઇ પદ્ધતિ અને ત્રિ-તરંગલંબાઇ પદ્ધતિ વગેરે, વિવિધ માપન આવશ્યકતાઓને પૂર્ણ કરે છે.
◆ વધુ પસંદગીઓ માટે ઓટોમેટિક 10mm 8-સેલ હોલ્ડર, 5mm-50mm 4-પોઝિશન સેલ હોલ્ડરમાં બદલી શકાય છે.
◆ ડેટા આઉટપુટ પ્રિન્ટર પોર્ટ દ્વારા મેળવી શકાય છે.
◆ વપરાશકર્તાની સુવિધા માટે પાવર નિષ્ફળતાના કિસ્સામાં પરિમાણો અને ડેટા સાચવી શકાય છે.
◆ વધુ સચોટ અને લવચીક જરૂરિયાતો માટે USB પોર્ટ દ્વારા પીસી નિયંત્રિત માપન પ્રાપ્ત કરી શકાય છે.
| તરંગલંબાઇRદેવદૂત | ૧૯૦-૧૧૦૦એનએમ |
| સ્પેક્ટ્રલ બેન્ડવિડ્થ | 2nm (5nm, 4nm, 1nm વૈકલ્પિક) |
| તરંગલંબાઇAચોકસાઈ | ±0.3nm |
| તરંગલંબાઇ પ્રજનનક્ષમતા | ≤0.15nm |
| ફોટોમેટ્રિક સિસ્ટમ | ડબલ બીમ, ઓટો સ્કેન, ડ્યુઅલ ડિટેક્ટર |
| ફોટોમેટ્રિક ચોકસાઈ | ±0.3%T (0~100%T), ±0.002A (0~1A) |
| ફોટોમેટ્રિક પ્રજનનક્ષમતા | ≤0.15% ટી |
| કાર્યરતMઓડ | ટી, એ, સી, ઇ |
| ફોટોમેટ્રિકRદેવદૂત | -૦.૩-૩.૫એ |
| સ્ટ્રે લાઇટ | ≤0.05%T(NaI, 220nm, NaNO2 ૩૪૦ એનએમ) |
| બેઝલાઇન સપાટતા | ±0.002A |
| સ્થિરતા | ≤0.001A/h (વોર્મિંગ અપ પછી, 500nm પર) |
| ઘોંઘાટ | ≤0.1% ટી (0%)રેખા) |
| ડિસ્પ્લે | ૬ ઇંચ ઊંચો આછો વાદળી એલસીડી |
| ડિટેક્ટર | Sઇલિકોન ફોટો-ડાયોડ |
| શક્તિ | એસી 220V/50Hz, 110V/60Hz, 180W |
| પરિમાણો | ૬૩૦x૪૭૦x૨૧૦ મીમી |
| વજન | ૨૬ કિગ્રા |